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Thermal annealing of porous silicon to develop a quasi monocrystalline structure

BONTEMPI, Elza;
2009-01-01
2009
Altre Istituz. pubb. estere
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
sì
2-s2.0-59749093574
WOS:000262987600003
Sì, ma tipo non specificato
Inglese
Internazionale
20
305
311
6
info:eu-repo/semantics/article
262
Banerjee, M; Bontempi, Elza; Bhattacharya, S; Maji, S; Basu, S; Saha, H.
1 Contributo su Rivista::1.1 Articolo in rivista
none
1.1 Articolo in rivista
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