Embedded Non-Volatile Memory With Single Polysilicon Layer Memory Cells Programmable Through Channel Hot Electrons And Erasable Through Fowler-Nordheim Tunneling
TORRICELLI, Fabrizio;RICHELLI, Anna;COLALONGO, Luigi;KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos
2015-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.