Embedded Non-Volatile Memory With Single Polysilicon Layer Memory Cells Programmable Through Band-To-Band Tunneling-Induced Hot Electron And Erasable Through Fowler-Nordheim Tunneling

TORRICELLI, Fabrizio;RICHELLI, Anna;COLALONGO, Luigi;KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos
2015-01-01

2015
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