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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Dispositivo di Memoria FTP Programmabile e Cancellabile a Livello di Cella 1-gen-2009 KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos; D., Lena; M., Pasotti; G., Pisoni; Torricelli, Fabrizio
Dispositivo di Memoria Non Volatile con Celle di Memoria a Singolo Strato di Polisilicio 1-gen-2012 Colalongo, Luigi; KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos; Richelli, Anna; Torricelli, Fabrizio
Embedded Non-Volatile Memory With Single Polysilicon Layer Memory Cells Erasable Through Band To Band Tunneling Induced Hot Electron And Programmable Through Fowler-Nordheim Tunneling 1-gen-2015 Milani, L.; Torricelli, Fabrizio; Richelli, Anna; Colalongo, Luigi; KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos
Embedded Non-Volatile Memory With Single Polysilicon Layer Memory Cells Programmable Through Band-To-Band Tunneling-Induced Hot Electron And Erasable Through Fowler-Nordheim Tunneling 1-gen-2015 Milani, L.; Torricelli, Fabrizio; Richelli, Anna; Colalongo, Luigi; KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos
Embedded Non-Volatile Memory With Single Polysilicon Layer Memory Cells Programmable Through Channel Hot Electrons And Erasable Through Fowler-Nordheim Tunneling 1-gen-2015 Milani, L.; Torricelli, Fabrizio; Richelli, Anna; Colalongo, Luigi; KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos
FTP Memory Device Programmable and Erasable at Cell Level 1-gen-2010 Pasotti, M.; Lena, D.; Pisoni, G.; Torricelli, Fabrizio; KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos
memoria non volatile integrata con celle di memoria a singolo strato di polisilicio cancellabile tramite iniezione di elettroni caldi indotti da corrente elettrica da banda a banda e programmabile tramite tunneling di flower-nordheim 1-gen-2014 Colalongo, Luigi; KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos; Milani, L.; Richelli, Anna; Torricelli, Fabrizio
Memoria Non Volatile Integrata con Celle di Memoria a Singolo Strato di Polisilicio Programmabile Tramite Iniezione di Elettroni Caldi Indotti da Corrente Elettrica da Banda a Banda e Cancellabile Tramite Tunneling di Flower-Nordheim 1-gen-2014 Colalongo, Luigi; KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos; Milani, L.; Richelli, Anna; Torricelli, Fabrizio
Memoria Non Volatile Integrata con Celle di Memoria a Singolo Strato di Polisilicio Programmabile Tramite Iniezione di Portatori di Carica Elettrica Caldi e Cancellabile Tramite Tunneling di Fowler-Nordheim 1-gen-2014 Colalongo, Luigi; KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos; Milani, L.; Richelli, Anna; Torricelli, Fabrizio
Non Volatile Memory Device with Single-Polysilicion-Layer Memory Cells 1-gen-2013 Torricelli, Fabrizio; Colalongo, Luigi; Richelli, Anna; KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos
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Tipologia
  • 6 Brevetti 13
  • 6 Brevetti::6.1 Brevetto 13
Autore
  • KOVACS VAJNA, Zsolt Miklos 12
  • COLALONGO, Luigi 10
  • RICHELLI, Anna 10
Data di pubblicazione
  • 2015 3
  • 2014 3
  • 2013 4
  • 2012 1
  • 2010 1
  • 2009 1
Lingua
  • eng 6
  • ita 5
  • chi 2
Accesso al fulltext
  • no fulltext 13